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可控硅動態關斷時間測試設備

參考價	￥ 10000
訂貨量	≥1套

具體成交價以合同協議為準

公司名稱西安智盈電氣科技有限公司
品牌其他品牌
型號ZY-Drr
所在地西安市
廠商性質生產廠家
更新時間2025/5/30 15:30:17
訪問次數68

產品標簽:

可控硅動態關斷時間測試設備可控硅動態關斷時間測試

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公司介紹主營產品

西安智盈電氣科技有限公司，是一家從事功率半導體測試設備自主研發制造與綜合測試分析服務的技術企業，坐落于陜西省西安市西咸新區。核心業務為半導體功率器件測試設備的研制生產，公司產品主要有：參數測試設備：靜態參數,動態參數（開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區）測試等）；雪崩能力測試，老化及可靠性。參數測試設備：靜態參數；動態參數（開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區）測試等）；老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管）參數測試設備：靜態參數測試；動態參數測試；浪涌參數測試；老化及可靠性測試（高溫阻斷）；熱阻參數測試品以高度集成化、智能化、高速超寬測試范圍等競爭優勢，將廣泛應用于、器件設計、制造、封裝廠商及高校研究所等。

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參數測試設備：靜態參數,動態參數（開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區）測試等）；雪崩能力測試，老化及可靠性。參數測試設備：靜態參數；動態參數（開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區）測試等）；老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管）參數測試設備：靜態參數測試；動態參數測試；浪涌參數測試；老化及可靠性測試（高溫阻斷）；熱阻參數測試產品以高度集成化、智能化、高速超寬測試范圍等競爭優勢，將廣泛應用于、器件設計、制造、封裝廠商及高校研究所等

產品簡介在線詢價

可控硅動態關斷時間測試設備主要完成功率器件的開通特性、關斷特性以及極限關斷特性參數的測試。

可控硅動態關斷時間測試設備產品信息

可控硅動態關斷時間測試設備主要完成功率器件的開通特性、關斷特性以及極限關斷特性參數的測試。

本技術規格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導體標準動態特性測試臺（下面簡稱測試臺），規定了測試臺的主要技術要求，參數范圍，操作流程，試驗方法及檢驗規則等。

本技術規范并未對一切技術細節做出規定，所提供的貨物應符合工業標準和本技術規范中所提要求。

1. 引用標準[濱1]

GB/T 15291-2015 半導體器件第6部分：晶閘管

JB/T 7624-2013 整流二極管測試方法

JB/T 7626-2013 反向阻斷三極晶閘管測試方法

以及國標、IEC、IEEE相關標準，以上標準均執行新版本。如本技術規范與上述各標準之間有矛盾，則應滿足較高標準。

2. 技術要求

序號	項目	參數	備注
1	常規開通	通態電流	范圍：200-10000A，連續可調；
主電容電壓	范圍：300-7000V，連續可調；
導通電流寬度設定范圍	10μs-5ms
上升時間測量范圍	0.01-20μs±3%±0.05μs
開通反饋延遲時間測量范圍	0.01-20μs±3%±0.05μs
開通延遲時間測量范圍	0.01-20μs±3%±0.05μs
開通能量測量范圍	0.01-200J±3%±0.1J
開通di/dt測量范圍	10-5000A/μs±3%±10A/μs
2	常規關斷	關斷電流	范圍：200-10000A，連續可調；
關斷反饋延遲時間測量范圍	0.01-20μs±3%±0.05μs
關斷延遲時間測量范圍	0.01-40μs±3%±0.05μs
關斷能量測量范圍	0.01-1000J±3%±0.1J
斷態電壓上升率測量范圍	10-5000V/μs±3%±10V/μs
斷態電流下降率測量范圍	10-10000A/μs±3%±10A/μs
*主回路寄生電感	≤300nH
3	極限關斷	關斷電流	范圍：＜20000A；	設備能力
4	數據采集和處理單元	示波器	帶寬不低于500MHz，采樣率不低于6.5Gs/s
試品控制方式	光纖控制

2.1. 自動恒溫壓力夾具

序號	項目	參數	備注
1	工作方式	自動，氣動
2	壓力范圍	10～130KN；分辨率0.1 KN，精度±5%±1KN。
3	溫度控制范圍	70～180℃，分辨率0.1℃；	高壓陽極控溫器采用非接觸式測溫