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供應可控硅靜態綜合測試系統

參考價 100000
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱西安智盈電氣科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號ZY-Drr
  • 所  在  地西安市
  • 廠商性質生產廠家
  • 更新時間2025/5/30 15:29:58
  • 訪問次數71
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西安智盈電氣科技有限公司,是一家從事功率半導體測試設備自主研發制造與綜合測試分析服務的技術企業,坐落于陜西省西安市西咸新區。核心業務為半導體功率器件測試設備的研制生產,公司產品主要有:參數測試設備:靜態參數,動態參數(開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區)測試 等);雪崩能力測試,老化及可靠性。參數測試設備:靜態參數;動態參數(開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區)測試等);老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管)參數測試設備:靜態參數測試;動態參數測試 ;浪涌參數測試;老化及可靠性測試(高溫阻斷);熱阻參數測試品以高度集成化、智能化、高速超寬測試范圍等競爭優勢,將廣泛應用于、器件設計、制造、封裝廠商及高校研究所等。

西安智盈電氣科技有限公司,是一家從事功率半導體測試設備自主研發制造與綜合測試分析服務的技術企業,坐落于陜西省西安市西咸新區。核心業務為半導體功率器件測試設備的研制生產,公司產品主要有:參數測試設備:靜態參數,動態參數(開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區)測試 等);雪崩能力測試,老化及可靠性。參數測試設備:靜態參數;動態參數(開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區)測試等);老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管)參數測試設備:靜態參數測試;動態參數測試 ;浪涌參數測試;老化及可靠性測試(高溫阻斷);熱阻參數測試品以高度集成化、智能化、高速超寬測試范圍等競爭優勢,將廣泛應用于、器件設計、制造、封裝廠商及高校研究所等。


參數測試設備: 靜態參數,動態參數(開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區)測試 等);雪崩能力測試,老化及可靠性。 參數測試設備: 靜態參數;動態參數(開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區)測試等);老化及可靠性 二管及可控硅/晶閘管)參數測試設備: 靜態參數測試;動態參數測試 ;浪涌參數測試;老化及可靠性測試(高溫阻斷);熱阻參數測試 產品以高度集成化、智能化、高速超寬測試范圍等競爭優勢,將廣泛應用于、器件設計、制造、封裝廠商及高校研究所等
可控硅靜態綜合測試設備是晶閘管、整流二極管靜態參數檢驗測試中的專用測試設備。
供應可控硅靜態綜合測試系統 產品信息

一、產品簡介

該測試系統是晶閘管、整流二極管靜態參數檢驗測試中的專用測試設備。

該套測試設備主要有以下幾個單元組成:

1)       門極觸發參數測試單元

2)       維持電流測試單元

3)       阻斷參數測試單元

4)       通態壓降參數測試單元

5)       電壓上升率參數測試單元

6)       擎住電流

7)       門極電阻

8)       計算機控制系統

9)       合格證標簽打印

10)  夾具單元;包含平板夾具和模塊夾具

二、技術條件

主要技術指標:

2.1  門極觸發電壓/門極觸發電流測試單元IGT/VGT

1.  陽極電壓:12V;

2.  陽極串聯電阻:6Ω;

3.  門極觸發電壓:0.3~5.00V±3%±10mV;

4.  門極觸發電流:2~450mA±3%±1 mA;

2.2  維持電流測試單元IH

1. 陽極電壓:12V;

2. 預導通電流: >10A,正弦衰減波;

3. 維持電流: 2~450mA  ±5%±1 mA;

4. 測試頻率:單次;

2.3  通態壓降測試單元VTM

1.     平板器件通態電流:0.10~5.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%;

2.     模塊器件通態電流:0.10~2.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%;

3.  電流上升沿時間:≥5ms;

4.  通態壓降測試范圍: 0.20~10.00V, 分辨率:0.01V,精度±0.1 V±5%;

5.  測試頻率:單次;

2.4  斷態電壓/斷態漏電流VD/ID;反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元

1.  阻斷電壓:0.20~6.00kV,分辨率:0.01kV,精度±0.1 kV±3%;

模塊單元阻斷電壓:0.20~4.00kV

2. 正反向自動測試

3.正/反向漏電流:0.2~100 mA,分辨率:0.1 mA;

精度:±5%±1 mA;

4. 輸出保護電壓和電流可計算機設定范圍值;在測試時電壓或漏電流超過所  設定的范圍則自動保護。

5. 測試頻率: 50HZ

2.5  斷態電壓臨界上升率測試單元dv/dt

1.  電壓:1200V,1600V,2000V三檔,分辨率:1V,精度±5%;

2.  電壓過沖范圍:<50V±10%

3. DV/DT電壓上升率三擋選擇:dv/dt:800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%;

2.6  擎住電流IL100-1800mA

2.7  平板夾具壓力范圍:6-60KN,氣動加壓方式

三、功能概述

3-1測試功能范圍

該套測試設備主要可測試以下參數:

1.       門極參數測試:VGT、IGT

2.       維持電流測試:IH

3.  阻斷參數測試:本測試單元可用以測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數。

4.       壓降單元

本測試單元用來測量晶閘管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等參數。

5、           電壓上升率參數測試:dv/dt

6、           擎住電流IL

7、           門極電阻:適合門極觸發電壓在0.95V以上器件測試

3-2、測試方法和測試準則及原理滿足  IEC 60747-6-2000 中關于晶閘管測試的具體規定。北京功率器件研發



























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